软银与英特尔携手开发新型AI内存芯片，旨在显著降低电力消耗，助力日本构建高效节能的AI基础设施。根据日经亚洲的报道，双方计划设计一种新型堆叠式DRAM芯片，采用与现有高带宽内存（HBM）不同的布线方式，预计将电力消耗减少约50%。
该项目由新成立的公司Saimemory负责，技术来源于英特尔，并结合了东京大学等日本高校的专利成果。Saimemory将专注于芯片设计与专利管理，而制造则交由外部代工厂。项目目标是在两年内完成原型，并在2020年代实现商业化，整体投资预计达到100亿日元（约合5亿元人民币）。
软银作为主要投资方，已出资30亿日元（约合1.5亿元人民币），同时日本理化学研究所与神港精机也在考虑参与资金或技术支持。此外，项目方还计划申请政府支持。
随着AI在企业管理等高阶领域的深入应用，对高性能、高效率的数据处理能力的需求不断增加，这款新型存储器有望以更低的成本构建高质量的数据中心，满足市场需求。
